到了光刻法的极限,为什么说12纳米是光刻法的极限。
拥有未来记忆的黄修远,自然清楚其中的猫腻。
未来三星、台积电所谓的10纳米/7纳米/5纳米,其实存在一种偷换概念的工艺,而英特尔由于没有代工业务,也懒得去理睬他们的“新工艺”。
其实在三星、台积电、英特尔三家生产的CPU,在性能上的对比,甚至还是英特尔更胜一筹。
为什么三星、台积电的5纳米,还干不过英特尔的12纳米?
这就是双方不同的工艺标准,导致英特尔和三星、台积电看似存在差距,实际上,是三星、台积电在标准上搞的鬼。
光刻法的极限工艺,就在12纳米附近,毕竟光刻要靠深紫外光和蚀刻,这是紫外光的物理性质决定的。
而纺织法的极限,取决于纳米线的横截直径,理论上单原子的纳米线,横截直径在纳米左右。
不过黄修远明白,纳米的芯片工艺,现阶段基本不可能实现,单单是一个量子隧穿效应,就足以让芯片报废。
为什么人类要追求更加小的芯片工艺?
答案是能耗。
更加精细的晶体管,可以有效的降低芯片的能耗。
如果单纯的追求运算力的提升,其实可以采用超算的刀片服务器搭建方式,不断增加芯片的数量。
在商业应用上,运算力虽然是一个大指标,但是真正的核心因素,是单位运算力的能耗,即我们常说的能效比。
假如,有甲乙两款芯片,其浮点运算力都是每秒10亿次,甲芯片采用28纳米工艺,而乙芯片采用22纳米工艺,两者的单位能耗是,通常是甲高于乙。
或许个人用户感觉不明显,但是那些互联网大厂,一年要付几亿乃至几十亿电费,就不得不考虑能耗问题了。
这就是为什么,璃龙1诞生后,各大互联网公司不得不采购的原因之一,其中就有能耗的考虑。
黄修远看着眼前的芯片纺织机,12纳米工艺虽然可以生产芯片,但是速度却下降得厉害,平均每秒只能加工两三千个晶体管。
比起速度惊人的缁衣—1、缁衣—2,缁衣—4的速度明显太低了。
“修远,我
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